Встраиваемая MRAM

Описание

Технология MRAM разработана специально для интеграции в микроконтроллеры, микропроцессоры и системы-на-кристалле. Встраиваемая MRAM способна заменить Flash, EEPROM и SRAM элементы памяти в составе микросхемы, обеспечив высокую производительность, неограниченные циклы перезаписи, более 20 лет работы и энергетическую независимость. MRAM память оптимальна для устройств с низким потреблением энергии, предназначенных для регистрации данных, программ, буферизации и кэша данных.

Технология MRAM – следующее поколение встраиваемой памяти
Интеграция ячеек MRAM памяти осуществляется на завершающем этапе производственного процесса (back end of line). Таким образом, MRAM память может применяться с любым базовым КМОП устройством. Технология MRAM легко масштабируется, является универсальной для широкого класса применений и способна заменить альтернативные типы встраиваемой памяти.

Технология MRAM сделала шаг вперед относительно всех существующих видов энергонезависимой памяти. Модули MRAM имеют скорость чтения/записи, сравнимую со специальными быстродействующими модулями SRAM (Fast asyncSRAM). В технологии MRAM применяются маленькие, простые ячейки для получения памяти с большой удельной плотностью хранения информации и имеют низкую стоимость. На сегодняшний день и в ближайшем будущем, MRAM память является лучшим решением для встраиваемых систем.

Крокус Наноэлектроника предоставляет ряд готовых сложно-функциональных блоков (Модулей) MRAM памяти для интеграции в системы-на-кристалле. Наша компания обеспечивает заказчиков всей необходимой технической информацией по использованию встраиваемой MRAM памяти. Для нестандартных решений, существует возможность разработки специализированных сложно-функциональных блоков (Модулей) MRAM памяти.