Микросхемы MRAM

Описание

Крокус Наноэлектроника является производителем микросхем магнето-резистивной памяти с произвольным доступом (Magnetoresistive random-access memory, MRAM). Доступны микросхемы памяти с плотностью записи от 1 до 4Мбит, скоростью считывания 35нс и записи 35/90/120/150нс. Срок работы микросхем MRAM составляет до 20 лет. Для удобства замещения микросхем SRAM памяти и энергонезависимых RAM устройств, микросхемы MRAM поставляются в корпусах TSOP II (44-вывода) и TFBGA (48-выводов). Микросхемы MRAM памяти имеют низкое энергопотребление и подходят для регистрации данных, программ, буферизации и кэша данных. Микросхемы MRAM имеют широкий диапазон рабочих температур.

Технические характеристики микросхем MRAM памяти соответствуют SRAM и энергонезависимым RAM микросхемам. Таким образом, интеграция MRAM памяти не потребует изменения конструкции конечного электронного устройства и замены других электронных компонент.

Ключевые особенности микросхем MRAM:

1. Энергонезависимость
2. Высокая производительность
3. Скорость чтения: 35нс
4. Скорость записи: 35/90/120/150нс
5. Автоматическая защита данных при отключении питания
6. MRAM память используется для замещения FLASH, SRAM, EEPROM
7. Высокая надежность: неограниченное число записи и считывания
8. Срок работы до 20 лет.
9. Напряжение питания 3,3В ± 10%
10. Широкий диапазон рабочих температур
11. Малый форм-фактор: корпуса типа TSOP-II и TFBGA (соответствие RoHS)
12. Посадочная площадка соответствует nvSRAM микросхемам
13. Снижение стоимость обслуживания и сборки
14. Возможность заменить SRAM микросхемы без изменения конструкции конечного электронного устройства
15. MRAM память позволяет упростить электронную схему, заменить SRAM и не требует резервного питания